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Semiconductor de Diotec

Semiconductor de Diotec
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
BAS40-05 Diodo de chip nuevo y original

BAS40-05 Diodo de chip nuevo y original

Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 40 V 200mA de 1 pa
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BAS70-05 Diodo de alto voltaje nuevo y original

BAS70-05 Diodo de alto voltaje nuevo y original

Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 70 V 70mA de 1 par
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BAS40-06 Diodo de chip nuevo y original

BAS40-06 Diodo de chip nuevo y original

Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 40 V 200mA de 1 par
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BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL

BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial de array de diodos SC-70, SOT-323 de la conexión de serie de 1 par 30 V 200mA
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BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL

BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial SOT-323 del diodo 30 V 200mA
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Diodo 200 V 200mA a través del agujero DO-35
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original

Diodo 150 V 250mA Orificio Pasante DO-35
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BC846BW Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC846BW Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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BAT54CW HISTORIA de las poblaciones nuevas y originales

BAT54CW HISTORIA de las poblaciones nuevas y originales

Soporte superficial común de array de diodos SC-70, SOT-323 del cátodo 30 V 200mA de 1 par
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El sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable es el sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable.

El sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable es el sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable.

Soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) del diodo 30 V 200mA
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Diodo 200 V 250mA a través del agujero DO-35
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original

Diodo 200 V 250mA a través del agujero DO-35
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Transistor de efecto de campo BAV99 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV99 nuevo y original

Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 75
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Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 70 V 200 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP53-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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BCP53-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP53-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP55-10 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP55-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales

BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales

Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 2 W
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BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales

BCP56-16 ALCANZAS nuevas y originales

Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 2 W
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BC847BW Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC847BW Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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BC856BW Transistor de potencia nuevo y original

BC856BW Transistor de potencia nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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BC856S Inductor ajustable nuevo y original

BC856S Inductor ajustable nuevo y original

Soporte superficial bipolar SOT-363 del arsenal 2 PNP 65V (dual) 100mA 100MHz 250mW del transistor (
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BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

BC857BW ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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