IRLL024NTRPBF Transistor Mosfet de potencia HEXFET® MOSFET de potencia Conmutación rápida
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
12 A
Linear Derating Factor:
8.3 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±16 V
Single Pulse Avalanche Energy:
120 mJ
Avalanche Current:
3.1 A
Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150 °C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Array
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Común:
MOQ:
10pcs