IRF640NPBF Power Mosfet Transistor mosfet de uso general HEXFET Power MOSFET
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
72 A
Power Dissipation:
150 W
Linear Derating Factor:
1.0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
247 mJ
Avalanche Current:
18 A
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
Array
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs