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Taiwán Semiconductor Corporation

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Introducción

Taiwán Semiconductor Corporation

Los productos más nuevos
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
BAT54C Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

BAT54C Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 30 V 200mA (D
BAS316 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

BAS316 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

Soporte superficial SOD-323 del diodo 100 V 250mA
BC848B Inductor variable nuevo y de stock original Certificación ROHS

BC848B Inductor variable nuevo y de stock original Certificación ROHS

Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BAT54SW Diodo de alto voltaje nuevo y original

BAT54SW Diodo de alto voltaje nuevo y original

Conexión de serie de diodos de 1 par 30 V 200 mA (DC) Monte de superficie SC-70, SOT-323
BAT54A Diodo de alto voltaje nuevo y original

BAT54A Diodo de alto voltaje nuevo y original

Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del ánodo 30 V 200mA (DC
Diodo de chip BAS316 nuevo y original

Diodo de chip BAS316 nuevo y original

Soporte superficial SOD-323 del diodo 100 V 250mA
BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL

BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL

Conexión de serie de diodos de 1 par 30 V 200 mA (DC) Monte de superficie SC-70, SOT-323
BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL

BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial SOT-323 del diodo 30 V 200mA
BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 75 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
BC807-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC807-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montaje en superficie SOT-323
BC807-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC817-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC817-16 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC817-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC817-16W Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW Montaje en superficie SOT-323
BC817-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC817-25 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC817-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC817-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BC848B Transistor de alta frecuencia nuevo y original

BC848B Transistor de alta frecuencia nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BC856B Transistor de alta tensión nuevo y original

BC856B Transistor de alta tensión nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BC857A BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BC857A BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BC857C ALCANCE NUEVA y original

BC857C ALCANCE NUEVA y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
BC858B HISTORIA NUEVA y original

BC858B HISTORIA NUEVA y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW